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產(chǎn)品目錄

長禾第三方功率器件檢測中心IGBT測試

詳細(xì)說明

    檢測項(xiàng)目 覆蓋產(chǎn)品 檢測能力 參考標(biāo)準(zhǔn)

功率循環(huán)試驗(yàn)（PC） IGBT模塊 ΔTj=100℃ 電壓電流*大1800A 12V IEC 客戶自定義

高溫反偏試驗(yàn)（HTRB） MOSFET、IGBT、DIODE、BJT、SCR，第三代半導(dǎo)體器件等單管器件 溫度*高150℃； 電壓*高2000V 美軍標(biāo)，國標(biāo)，JEDEC，IEC，AEC,客戶自定義等

高溫門極試驗(yàn)（HTGB） MOSFET、SiC MOS等單管器件 溫度*高150℃； 電壓*高2000V 美軍標(biāo)，國標(biāo)，JEDEC，IEC，AEC,客戶自定義等

高溫工作壽命試驗(yàn)（HTOL） MOSFET、IGBT、DIODE、BJT、SCR、IC、第三代半導(dǎo)體器件等單管器件 溫度*高150℃ 電壓*高2000V 美軍標(biāo)，國標(biāo)，JEDEC，IEC，AEC,客戶自定義等

低溫工作壽命試驗(yàn)（LTOL） MOSFET、IGBT、DIODE、BJT、SCR、IC、第三代半導(dǎo)體器件等單管器件 溫度*低-80℃ 電壓*高2000V 美軍標(biāo)，國標(biāo)，JEDEC，IEC，AEC,客戶自定義等

 
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