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產(chǎn)品目錄

M.2 (P80) 3TG3-P DGM28-02TDA1ECBEH

詳細(xì)說(shuō)明

    M.2 固態(tài)硬盤

M.2 接口,又稱為NGFF (Next Generation Form Factor),比起mPCIe 可節(jié)省高達(dá)40%的使用空間,可完美嵌入各種超薄、精巧的系統(tǒng)配置。

DGM28-02TDA1ECBEH

產(chǎn)品特色

1. PCIe Gen. III x4, NVMe 1.3

2. Excellent data transfer speed

3. High Endurane

4. Heat-spreading design

5. LDPC ECC engine supported

6. End-to-end Data Path Protection



Overview:

Innodisk m2(p80)3tg3-p 是 nvm express ssd 設(shè)計(jì)的標(biāo)準(zhǔn) m2形狀因子,具有 pcie 接口和工業(yè)3d tlc 和 flash。 M2(p80)3tg3p 支持 pcie gen iii x4,符合 nvm 1.3,性能優(yōu)良。 M2(p80)3tg3-p 與一個(gè)散熱銅層去散熱從 ic 產(chǎn)生的熱。 該模塊具有復(fù)雜的糾錯(cuò)(ecc)功能,可以確保完整的端到端數(shù)據(jù)通路保護(hù),保護(hù)主機(jī)系統(tǒng)和 nand flash 之間的數(shù)據(jù)傳輸。



Innodisk m. 2(p80)3tg3-p 提供超高速和高 iop,并提供*大容量高達(dá)2tb,使 ssd 成為服務(wù)器和大數(shù)據(jù)量應(yīng)用程序的*佳選擇。



規(guī)格:

Model Name :M.2 (P80) 3TG3-P

Interface :PCIe Gen. III x4

Flash Type :3D TLC

Capacity :128GB~2TB

Sequential R/W (MB/sec, max.) :3300/2800

Max. Power Consumption :6.27W(3.3 x 1.9A)

Thermal Sensor :Y

External DRAM Buffer :Y

H/W Write Protect :N

iCell :N

Dimension (WxLxH/mm) :22.0 x 80.0 x 3.5 ;

22.0 x 80.0 x 3.95 with heat-spreading copper layer;

23.6 x 80.0 x 14.45 with heatsink

Vibration :20G@7~2000Hz

Shock :1500G@0.5ms

MTBF :>3 million hours

Operation Temperature

Standard Grade: 0°C ~ +70°C;

Industrial Grade: -40°C ~ +85°C

產(chǎn)品料號(hào):

Standard Grade(0°C ~ +70°C)

DGM28-A28DA1ECADH

DGM28-B56DA1ECAQH

DGM28-C12DA1ECAEH

DGM28-01TDA1ECBEH

DGM28-02TDA1ECBEH

Industrial Grade(-40°C ~ +85°C)

DGM28-A28DA1HWADHH

DGM28-B56DA1HWAQHH

DGM28-C12DA1HWAEHH

DGM28-01TDA1HWBEH

 
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