PN8680M低功耗電源芯片是一款高性能的原邊反饋控制器。PN8680M工作在原邊檢測(cè)和調(diào)整模式，可省略系統(tǒng)的光耦和TL431。PN8680M低功耗電源芯片擁有恒壓恒流控制環(huán)路，可以實(shí)現(xiàn)高精度的恒壓、恒流輸出，以滿足大部分充電器和適配器需求。驪微電子12V開關(guān)控制芯片PN8680M內(nèi)置高壓?jiǎn)?dòng)電路和極低的芯片功耗使得系統(tǒng)能夠滿足較高的待機(jī)功耗標(biāo)準(zhǔn)。
1.高壓?jiǎn)?dòng)控制：PN8680M低功耗電源芯片在啟動(dòng)階段，采用高壓?jiǎn)?dòng)技術(shù)，芯片啟動(dòng)前2.0mA電流源為內(nèi)部偏置電路供電并給外部VDD電容充電，快速啟動(dòng)。當(dāng)VDD電壓達(dá)到VDDon，芯片開始工作的同時(shí)高壓?jiǎn)?dòng)電路關(guān)斷；只要VDD電壓不低于VDDoff，芯片維持正常工作。啟動(dòng)后，偏置電路通過(guò)輔助源供電，同時(shí)啟動(dòng)電路只有一路極小的電流，實(shí)現(xiàn)低損耗。
2.CC 工作模式：在CC工作狀態(tài)，高效率電源芯片PN8680M采樣FB引腳的信號(hào)（由輔助繞組信號(hào)通過(guò)電阻分壓），輔助繞組信號(hào)脈寬決定振蕩頻率。輸出電壓越高，脈寬越小，同時(shí)振蕩頻率越高，這樣可獲得恒定的輸出電流。
3.CV 工作模式：在CV工作狀態(tài)，高效率電源芯片PN8680M使用脈沖采樣VFB電壓，并保持到下個(gè)采樣點(diǎn)。將采樣的電壓和VREF_CV基準(zhǔn)比較，并放大誤差。這個(gè)誤差值代表負(fù)載情況，通過(guò)控制開關(guān)信號(hào)，調(diào)節(jié)輸出電壓，使得輸出恒定。
4.電流檢測(cè)和前沿消隱：PN8680M低功耗電源芯片提供逐周期電流檢測(cè)功能。芯片通過(guò)CS引腳的電阻檢測(cè)功率管電流，CC模式設(shè)置點(diǎn)和輸出功率都通過(guò)外部調(diào)整CS引腳上的電阻實(shí)現(xiàn)。功率管開通瞬間會(huì)產(chǎn)生尖峰電壓，內(nèi)部前沿消隱電路可防止誤觸發(fā)而不需要額外的RC濾波電路。
5.可編程線纜補(bǔ)償功能：線纜補(bǔ)償模塊通過(guò)FB引腳輸出一路補(bǔ)償電流，流入分壓電阻，如圖3所示，改變電壓反饋值，可以使輸出線損壓降得到補(bǔ)償。當(dāng)負(fù)載從滿載減小到空載時(shí)，線損壓降也同樣減小。PN8680M低功耗電源芯片通過(guò)設(shè)置FB電阻的阻值可以調(diào)整線補(bǔ)償?shù)姆取?br />
6.基準(zhǔn)負(fù)溫度補(bǔ)償：高效率電源芯片PN8680M的VREF_CV電壓基準(zhǔn)采用負(fù)溫度補(bǔ)償技術(shù)，常溫下，VREF_CV電壓基準(zhǔn)為2.5V；芯片溫度上升時(shí)，VREF_CV電壓基準(zhǔn)值隨著溫度上升而變小，可以使△V隨著溫度上升而變小得到補(bǔ)償，讓輸出電壓Vo在全溫度范圍內(nèi)恒定，提高了恒壓輸出精度。
7.保護(hù)控制：PN8680M低功耗電源芯片含有豐富的保護(hù)功能，包括：逐周期過(guò)流保護(hù)、過(guò)壓保護(hù)、過(guò)溫保護(hù)、開環(huán)保護(hù)、輸出短路保護(hù)、CS電阻開/短路保護(hù)、VDD欠壓鎖定保護(hù)功能，并且這些保護(hù)具有自恢復(fù)模式。
PN8680M原邊反饋低功耗電源芯片集成超低待機(jī)功耗原邊控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET，可省略光耦和TL431，常用于高性能、外圍元器件精簡(jiǎn)的充電器、適配器和內(nèi)置電源，如果需要PN86 |
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