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1級試驗in100KA浪涌保護器up2.5kv

詳細說明

    為什么普通壓敏芯片無法做到擊穿點在中部?

壓敏電阻通常燒成溫度在1150~1200℃之間,壓敏電阻中的氧化鉍、氧化銻等低熔點物質(zhì)在800~950℃即已經(jīng)是液態(tài),高溫燒成下會形成氣態(tài)進一步揮發(fā),這種揮發(fā)主要發(fā)生在四周側(cè)面,其后果是構成一個從側(cè)面邊緣到中部的低熔點物質(zhì)濃度差分布,嚴重者在邊緣地區(qū)形成一個低熔點物質(zhì)的貧化帶,做8/20μS模擬雷電沖擊都有可能將之擊穿。所以是壓敏芯片的傳統(tǒng)制造工藝決定了其擊穿點只會在邊緣,而且越靠近邊緣越薄弱易擊穿。這就決定指望用加大銅電極面積來遮蓋擊穿點的方法不僅是徒勞的(因為擊穿點總會出現(xiàn)在導電體的邊緣),而且還有隱患(更容易擊穿)。

YLSP-T1-15KA/4P-385V(10/350us) Iimp=15kA

YLSP-T1-25KA/4P-320V(10/350us) Iimp=25kA

YLSP-T1-35KA/4P-320V(10/350us) Iimp=35kA

YLSP-T1-50KA/4P-320V(10/350us) Iimp=50kA

1級試驗in100KA浪涌保護器up2.5kv 揚州浪涌電氣有限公司專業(yè)制造!

 
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