SiC碳化硅功率器件動態(tài)特性測試系統(tǒng)
我們專業(yè)致力于功率元器件的測試儀器設(shè)備，主要致力于碳化硅器件的測試儀器設(shè)備。 我們的優(yōu)勢在于能夠深入的進行理論運用到實踐中。技術(shù)能力和實踐能力的結(jié)合，才能在市場上推出使用方便，測試結(jié)果準確的高技術(shù)產(chǎn)品 我們的工程師具有超過20年的大功率半導(dǎo)體專業(yè)設(shè)計及測試評估的經(jīng)驗 如有任何需求，歡迎與我們聯(lián)系各種電子測試的需求。
全面的測試方案：
雙脈沖測試
· 用于碳化硅二極管
· 和FETs檢測
高壓器件
· 1.2 kV - 1.7 kV - 3.3 kV - 4.5 kV
· 及更高
功率器件（包括模塊）
· 電壓可調(diào)至：50 A ( > 500 A )
清晰的開關(guān)波形
· 非常低且非常容易判斷寄生現(xiàn)象
精確
· 包含分析和補償程序
為模具，緊湊型包裝，模塊組件而設(shè)計
· 裸芯片, TO220, TO247, TO254, 任何碳化硅模塊
模塊化和前瞻性
· 新包裝和模塊化的可調(diào)諧開關(guān)插頭
高溫測試
· DUT 集成化加熱器- 可調(diào)諧到 250°C
快速
· 快速部署，測試周期 短
標準和具體應(yīng)用
· 集成化或定制柵極驅(qū)動器；寄生現(xiàn)象可調(diào)諧
高性能系統(tǒng)
· 工業(yè)等級設(shè)計及制造
安全
· IEC61010安全標準設(shè)計
技術(shù)規(guī)格
動態(tài)特性主要針對于是碳化硅技術(shù)中的功率器件的特性，也同樣應(yīng)用于碳化硅技術(shù)的的各種儀器設(shè)備的特性�；谔蓟杓夹g(shù)的半導(dǎo)體功率器件動態(tài)性能測試是我們的核心技術(shù)。隨著碳化硅測試設(shè)備的快速發(fā)展需要對帶寬和寄生原件的測試需求。如：負載感應(yīng)器和直流電等寄生元器件將會成為碳化硅功率器件的使用方案。
功能：描述SiC離散變量的動力學(xué)行為
配置：在相位腿配置的二極管mosfet(或IGBTs)
設(shè)備等級：優(yōu)化的額定電壓600V到4500V
優(yōu)化額定電流10A到50A
包裝：可與TO220,TO247,TO254包接口的裝置
系統(tǒng)接受其他包的fixture
輸入電壓：230Vac, 50Hz，單相接地保護
輸入電流：8A
保險絲額定值：10A，T，250V
直流電壓范圍：100V to 4500V
開關(guān)電流范圍：10A to 50A
DUT溫度:熱板溫度可調(diào)至200℃ |
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